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RTP-1200快速退火炉

描述:RTP-1200快速退火炉
该仪器:尺寸小巧,使用风冷、无须水冷,电流要求不高(3安培),性价比高,使用方便,非常适合科研院所的科研使用。

更新时间:2020-10-31
产品型号:qirui
访问次数:102
详情介绍
品牌自营品牌价格区间面议
产地类别进口应用领域化工,能源,电子,印刷包装,电气

RTP-1200快速退火炉
该仪器:尺寸小巧,使用风冷、无须水冷,电流要求不高(3安培),性价比高,使用方便,非常适合科研院所的科研使用。
 

技术规格: 
  - 加热方式:红外卤素灯,600W;
  - 红外灯数量:4支;
  - 升温速率:100℃/秒;
  - 降温速率:50秒(1000℃ → 400℃);
  - 温度:1200℃;
  - 温度精度:+/-0.3℃
  - 大样品尺寸:15 x 20mm;
  - 退火环境:真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢氮混合气等);
  - 真空泵及极限压力:机械泵,10-3Torr水平(选配);
  - 电压:220 V,单相;
  - 仪器尺寸:400*300*450mm (W*D*H);
  - 质量:净重30Kg;

RTP-1200快速退火炉

仪器特点:

  • 可在真空/不同气氛/空气不同环境下,对样品进行快速热处理;
  • 温控精度高;
  • 无须配置冷水机;
  • 无须使用三相电,普通实验室单相电即可使用;
  • 紧凑的台式设计;
  • 仪器操作方便,样片装取容易;
  • 适合高校或研究所科研使用;
  • 价格合理,高性价比;
  •  

应用领域:

  • 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing, RTA);
  • 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation, RTO);
  • 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation, RTN);
  • 硅化 (Silicidation);
  • 扩散 (Diffusion);
  • 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing);
  • 离子注入后退火 (Implant Annealing);
  • 电极合金化 (Contact Alloying);
  • 晶体化和致密化 (Crystallization and Densification);
  • 合金熔点分析;
  • 薄膜沉积;
  • 等等…

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