全自动变温霍尔效应测试仪是表征半导体材料的基本工具。结合相关材料电阻率测量，霍尔效应分析测量方法确定一个重要的半导体复合材料质量特性，例如电荷载流子极性、电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率。霍尔效应进行电压通过测量的挑战主要在于它们的量非常小，例如微伏，甚至可以更低。如果半导体材料具有高电阻率和/或低载流子迁移率，在这些低电压下，电平误差项可能具有重要的数量级，影响测量的霍尔电压。对于霍尔效应进行测量，误差项来自中国多个数据来源，包括与样品组织结构和样品几何形状设计相关的误差、金属连接中的固有误差，以及企业对于我们一个标准样品而言，由非理想样品几何形状可以引起的电压误差和热电误差。本技术描述将描述这些误差中很常见的误差，并推荐解决这些误差以消除或极小化高质量霍尔效应测量中的误差的方法。
霍尔棒为产生霍尔效应研究提供了更理想的几何测量，因为我们这种不同类型的结构设计能够可以通过网络结构的长轴实现恒定的电流密度。
在这种情况下，测试样本必须具有允许将测试样本连接到全自动变温霍尔效应测试仪以进行所需特性测量的霍尔测量。需要连接到服务器样本，并且我们每个连接都会影响产生直接接触电阻。保持尽可能低的接触电阻和欧姆将减少接触电阻对电阻测量的影响。欧姆意味着线性接触遵守欧姆定律。金属-半导体连接或接口技术具有肖特基二极管特性，这使得企业获得欧姆接触社会成为我国一项任务艰巨的挑战，将低欧姆接触的电阻与样品电阻产生的电阻的电阻水平进行比较，很小测量误差由非线性分量组成，这种联系是微不足道的，高接触电阻会导致样品自热和热误差电压增加，对于固定的激励电流，低接触电阻会导致导线上的电压测量值更高。
几种接触沉积方法包括：
1.使用金属基涂料和浆料；
2.直接在半导体表面熔化金属；
3.蒸发溅射；
4.分子束外延；
5.离子注入。
一旦接触材料沉积在半导体表面上，就可以通过常规烘箱、激光、电子束或快速加热炉对接触进行热退火。一种使用卤素灯将半导体快速加热到退火温度并保持温度在 10 到 30 秒的退火工艺。
全自动变温霍尔效应测试仪无论使用何种沉积技术，对细节的关注和良好的技术都会限度地减少非欧姆效应。确保样品触点质量的四个具有重要方面考虑影响因素主要包括连接工艺的选择、触点材料的选择、触点的放置和样品结构设计以及通过连接的稳定性。
