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Ecopia HMS-7000光霍尔效应测试仪
霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体材料电学特性*的工具。
光学模块
HMS-7000光霍尔效应测试仪软件界面
通过HMS-7000主机及霍尔效应测试仪软件控制光源及马达自动完成测试,并绘制出载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数随光源强度变化的曲线如下:
HMS-5000变温霍尔效应测量仪软件主界面
不同温度I-V/I-R曲线 载流子浓度随温度变化曲线
迁移率随温度变化曲线 电阻率随温度变化曲线
霍尔系数随温度变化曲线 电导率随温度变化曲线
产品规格:
1、 主要实验参数
输入电流:1nA ~ 20mA;
电阻率:10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm;
载流子浓度:10exp7 ~ 10exp21 cm-3;
迁移率:1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec;
磁场强度:0.51T;
样品测量板:弹簧样品板;
样品尺寸:5mmX5mm ~ 20mmX20mm;
高温腔温度:常温~573K (773K);
低温腔温度:80K-350K(选配);
磁体包尺寸:700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg;
2、 软件操作环境
XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下
3、 实验结果
- 体载流子浓度、表面载流子浓度;
- 迁移率;
- 霍尔系数;
- 电阻率、方块电阻;
- 磁致电阻;
- 电阻的纵横比率;
4、 仪器尺寸和重量
主机尺寸:440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg;
5、 测量材料
Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型);